RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.1
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
2,909.8
18.0
写入速度,GB/s
1,519.2
14.1
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3537
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB RAM的比较
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link