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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
49
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
2,066.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
45
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
10.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
2414
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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