RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
49
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
45
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2414
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link