RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
72
En 32% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
2,066.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
72
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
1593
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link