RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
72
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
72
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
1593
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link