RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
72
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
72
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
1593
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link