RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
71
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
2,066.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
71
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
8.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
1863
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link