RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
71
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
1863
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link