RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
49
71
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
2,066.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
1863
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link