Porównanie pamięci RAM Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

Wynik ogólny

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

22 28

Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

17.7 17.1

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

3075 3480

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns