Confronto tra le RAM Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

Punteggio complessivo

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

22 28

Intorno 21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

17.7 17.1

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

Velocità di scrittura più elevata, GB/s

15.3 12.7

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

3075 3480

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns