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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

総合得点
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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    22 left arrow 28
    周辺 21% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.7 left arrow 17.1
    テスト平均値
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB 考慮すべき理由
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 12.7
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    22 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    17.7 left arrow 17.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    12.7 left arrow 15.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
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Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
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メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
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Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
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メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
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Kingston KN2M64-ETB 8GB
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Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
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