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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
28
En 21% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
17.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
12.7
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
28
Velocidad de lectura, GB/s
17.7
17.1
Velocidad de escritura, GB/s
12.7
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3075
3480
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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