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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
18
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
49
En -58% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
31
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
16.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
3729
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
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