RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
49
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
3729
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-MEM2666S416G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Team Group Inc. 76TT16NUSL2R8-4G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link