Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Puntuación global
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Diferencias

  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    3 left arrow 17.7
    Valor medio en las pruebas
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    26 left arrow 62
    En -138% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    14.0 left arrow 1,843.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 6400
    En 3.33 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    62 left arrow 26
  • Velocidad de lectura, GB/s
    3,556.6 left arrow 17.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,843.6 left arrow 14.0
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Descripción
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    542 left arrow 3017
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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