RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
62
Autour de -138% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.0
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
17.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
14.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
3017
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link