RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Comparez
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Note globale
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
49
Autour de -53% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
10.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
49
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.9
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.7
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2427
2706
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link