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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
49
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
10.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.2
8.7
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
32
读取速度,GB/s
10.9
15.3
写入速度,GB/s
8.7
10.2
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2706
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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