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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Comparez
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Note globale
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Raisons de considérer
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
35
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.3
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
34
Vitesse de lecture, GB/s
13.7
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2312
2962
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX31600C10F/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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