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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB vs Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
35
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.7
9.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.6
11.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2312
2962
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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