RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Compara
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Puntuación global
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
62
En -121% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
1,843.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,556.6
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,843.6
10.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
542
2179
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link