RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2179
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link