RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.1
1,843.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,556.6
13.8
Скорость записи, Гб/сек
1,843.6
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
542
2179
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link