RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.1
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3711
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link