RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3711
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link