RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Compara
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Puntuación global
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
62
En -48% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
1,843.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
42
Velocidad de lectura, GB/s
3,556.6
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,843.6
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
542
2427
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link