RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
62
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
42
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2427
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link