RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Compara
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Puntuación global
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
62
En -182% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
1,843.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
22
Velocidad de lectura, GB/s
3,556.6
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
1,843.6
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
542
3110
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link