RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Compara
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Puntuación global
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
62
En -107% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,843.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,556.6
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,843.6
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
542
2846
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston 99U5471-034.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link