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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Puntuación global
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Puntuación global
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    2 left arrow 16.9
    Valor medio en las pruebas
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    31 left arrow 46
    En -48% menor latencia
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    12.4 left arrow 1,519.2
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    46 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    2,909.8 left arrow 16.9
  • Velocidad de escritura, GB/s
    1,519.2 left arrow 12.4
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    3200 left arrow no data
Other
  • Descripción
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow no data
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    241 left arrow 3043

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM

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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
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Memoria RAM
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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Memoria RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Memoria RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
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Memoria RAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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