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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Pontuação geral
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    2 left arrow 16.9
    Valor médio nos testes
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    31 left arrow 46
    Por volta de -48% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.4 left arrow 1,519.2
    Valor médio nos testes

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    46 left arrow 31
  • Velocidade de leitura, GB/s
    2,909.8 left arrow 16.9
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,519.2 left arrow 12.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    3200 left arrow no data
Other
  • Descrição
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Tempos / Velocidade do relógio
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow no data
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    241 left arrow 3043

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM

Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Comparações de RAM

V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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