Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    2 left arrow 16.9
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    31 left arrow 46
    Около -48% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.4 left arrow 1,519.2
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 31
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,909.8 left arrow 16.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,519.2 left arrow 12.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    3200 left arrow no data
Other
  • Описание
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Тайминги / частота
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow no data
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    241 left arrow 3043
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения