Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Wynik ogólny

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Wynik ogólny

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Większa szybkość odczytu, GB/s

2 16.9

Średnia wartość w badaniach

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

31 46

Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.4 1,519.2

Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR2 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

46 31
Prędkość odczytu, GB/s

2,909.8 16.9
Prędkość zapisu, GB/s

1,519.2 12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps

3200 no data

Other

Opis

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 , 1.20000005, CAS Supported:
Taktowanie / szybkość zegara

3-3-3-12 / 400 MHz no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

241 3043

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB

A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Kingston 9905625-075.A00G 16GB

Kingston 9905625-075.A00G 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB

A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB