Confronto tra le RAM Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

31 46

Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.4 1,519.2

Valore medio nei test

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 , 1.20000005, CAS Supported:
Temporizzazioni / Velocità di clock

3-3-3-12 / 400 MHz no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

241 3043

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns