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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Note globale
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Différences Spécifications Commentaires

Différences

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Raisons de considérer
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    2 left arrow 16.9
    Valeur moyenne dans les tests
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
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  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    31 left arrow 46
    Autour de -48% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    12.4 left arrow 1,519.2
    Valeur moyenne dans les tests

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    46 left arrow 31
  • Vitesse de lecture, GB/s
    2,909.8 left arrow 16.9
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,519.2 left arrow 12.4
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    3200 left arrow no data
Other
  • Description
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow , 1.20000005, CAS Supported:
  • Timings / Vitesse d'horloge
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow no data
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    241 left arrow 3043

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