RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Comparar
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
54
Por volta de 28% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
54
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
7.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
7.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1770
1611
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link