TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Pontuação geral
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Pontuação geral
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Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 10.4
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    870.4 left arrow 5.3
    Valor médio nos testes
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    31 left arrow 87
    Por volta de -181% menor latência
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 5300
    Por volta de 3.21 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    87 left arrow 31
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,155.6 left arrow 10.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    870.4 left arrow 5.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    417 left arrow 1740
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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