RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
5.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
87
Rund um -181% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
5.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
1740
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link