RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB против Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Средняя оценка
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
870.4
5.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
87
Около -181% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
87
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,155.6
10.4
Скорость записи, Гб/сек
870.4
5.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
417
1740
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link