RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
16.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
3437
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link