RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
比較する
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
総合得点
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
28
周辺 4% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
19200
周辺 1.11% 高帯域
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
17.4
16.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.1
11.8
テスト平均値
仕様
技術仕様の完全リスト
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
27
28
読み出し速度、GB/s
16.7
17.4
書き込み速度、GB/秒
11.8
13.1
メモリ帯域幅、mbps
21300
19200
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2756
3437
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAMの比較
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB RAMの比較
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link