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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
33
En 18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
14.4
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2486
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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