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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
32
En 16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
3148
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
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Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
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