Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Puntuación global
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Puntuación global
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    27 left arrow 31
    En 13% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    16.7 left arrow 11.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    11.8 left arrow 7.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 17000
    En 1.25% mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    27 left arrow 31
  • Velocidad de lectura, GB/s
    16.7 left arrow 11.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    11.8 left arrow 7.7
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2756 left arrow 1997
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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