RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Comparar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
31
Por volta de 13% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.7
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.8
7.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Relatar um erro
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
31
Velocidade de leitura, GB/s
16.7
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
7.7
Largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2756
1997
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB Comparações de RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link