RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
32
En 16% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
11.8
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
3064
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link