Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

-->

Средняя оценка

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Средняя оценка

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 32

Около 16% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 17000

Около 1.25% выше полоса пропускания

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

Причины выбрать
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость записи

13.1 11.8

Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Team Group Inc. DDR4 3000 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR4 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 32
Скорость чтения, Гб/сек

16.7 16.7
Скорость записи, Гб/сек

11.8 13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

21300 17000

Other

Описание

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2756 3064

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB

Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB

модули RAM

Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB

Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB

Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Kingston 9965589-013.A00G 8GB

Kingston 9965589-013.A00G 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB

Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Kingston 9905624-036.A00G 8GB

Kingston 9905624-036.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB

Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB

модули RAM