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Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.2
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
13.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2421
3337
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
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