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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
35
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
34
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
25600
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2126
3527
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
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