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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Puntuación global
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.4
7.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
27
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.9
18.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2126
3826
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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