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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
35
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
20.6
9.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
18.4
7.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
17000
Por volta de 1.25 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
35
27
Velocidade de leitura, GB/s
9.8
20.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.9
18.4
Largura de banda de memória, mbps
17000
21300
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2126
3826
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparações de RAM
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Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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