Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

Pontuação geral
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Pontuação geral
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Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    27 left arrow 35
    Por volta de -30% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    20.6 left arrow 9.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    18.4 left arrow 7.9
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 17000
    Por volta de 1.25 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-4400C19A 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    35 left arrow 27
  • Velocidade de leitura, GB/s
    9.8 left arrow 20.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.9 left arrow 18.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2126 left arrow 3826
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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