RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
30
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
14.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
9.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.2
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.6
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
21300
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2955
2374
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link